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Bench Talk for Design Engineers | The Official Blog of Mouser Electronics

SiC Devices Usurp Si MOSFETs and Diodes in Servers, Motors, EVs

On outubro 1, 2018 in All, Power, Wide Bandgap by Bill Schweber

Switching devices—both transistors and diodes—based on silicon-on-carbide (SiC) are redefining capabilities of power-related circuits. These offer far better efficiency and range than today’s best silicon-only MOSFETs, IGBTs, and diodes, and are already in widespread use in top-tier data centers and server farms.

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Tagged With: Electric motors, Electric vehicles, EV, HEV, Hybrid electric vehicles, Power, Power-related circuits, SiC devices, SiC power, SiC technologies, SiC-based Diodes, SiC-based MOSFETs, Silicon-on-carbide devices, WBG, Wide Bandgap

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A Mouser® e a Mouser Electronics® são marcas comerciais da Mouser Electronics, Inc. nos EUA e/ou em outros países. Todas as demais marcas comerciais são de propriedade de seus respectivos proprietários. Matriz e centro de logística em Mansfield, Texas, EUA.

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