MOSFETs de SiC – Mouser Brasil

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SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

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Resultados: 31

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Número de peça

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030KLGC11
ROHM Semiconductor
1: $60.34
695Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3030KLGC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3030KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS

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Ficha técnica

695Em estoque

$60.34

$60.33

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N

SCT3040KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: $37.48
477Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3040KLHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3040KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N

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477Em estoque

$37.48

$37.47

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

SCT3030KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: $55.07
352Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3030KLHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3030KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N

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352Em estoque

$55.07

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

72 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

131 nC

- 55 C

+ 175 C

339 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N

SCT3030ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: $35.49
376Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3030ALHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3030ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N

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376Em estoque

$35.49

$35.47

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

SCT3017ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: $100.80
360Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3017ALHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3017ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

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360Em estoque

$100.80

$100.79

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

118 A

22.1 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

172 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N

SCT3022KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: $113.97
199Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3022KLHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3022KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N

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199Em estoque

$113.97

$113.96

$113.95

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

95 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

SCT3105KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: $13.53
1,629Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3105KLHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3105KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N

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1,629Em estoque

$13.53

$13.15

$13.14

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

137 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

SCT3080ALGC11
ROHM Semiconductor
1: $6.98
1,021Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3080ALGC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3080ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC

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Ficha técnica

1,021Em estoque

$6.98

$6.23

$6.22

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N

SCT3160KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: $8.96
506Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3160KLHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3160KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N

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506Em estoque

$8.96

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

103 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

SCT3080ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: $12.05
376Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3080ALHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3080ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N

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376Em estoque

$12.05

$11.96

$11.95

$11.65

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

104 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N

SCT3080KLHRC11
ROHM Semiconductor
1: $22.04
393Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3080KLHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3080KLHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N

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393Em estoque

$22.04

$17.52

$17.51

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

2.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

SCT3060ALHRC11
ROHM Semiconductor
1: $24.32
428Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3060ALHRC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3060ALHRC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N

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428Em estoque

$24.32

$16.01

$15.62

$15.61

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

78 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

+ 175 C

165 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N

SCT3105KLGC11
ROHM Semiconductor
1: $16.72
169Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3105KLGC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3105KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Nch 1200V 24A SiC TO-247N

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Ficha técnica

169Em estoque

$16.72

$14.13

$12.60

$12.12

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

137 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver

SCT3080ARC14
ROHM Semiconductor
1: $18.88
529Em estoque
NRND

Fabricante Nº de ref.:
SCT3080ARC14

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3080ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

Ficha técnica

529Em estoque

$18.88

$12.27

$11.46

$11.45

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

48 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC

SCT3060ARC14
ROHM Semiconductor
1: $20.59
714Em estoque
NRND

Fabricante Nº de ref.:
SCT3060ARC14

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3060ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC

Ficha técnica

714Em estoque

$20.59

$16.26

$16.25

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

60 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC

SCT3040KRC14
ROHM Semiconductor
1: $42.31
61Em estoque
NRND

Fabricante Nº de ref.:
SCT3040KRC14

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3040KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 55A N-CH SIC

Ficha técnica

61Em estoque

$42.31

$39.86

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

40 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

SCT3030ARC14
ROHM Semiconductor
1: $35.45
235Em estoque
NRND

Fabricante Nº de ref.:
SCT3030ARC14

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3030ARC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 650V 70A N-CH SIC

Ficha técnica

235Em estoque

$35.45

$34.00

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

30 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver

SCT3105KRC14
ROHM Semiconductor
1: $14.81
87Em estoque
NRND

Fabricante Nº de ref.:
SCT3105KRC14

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3105KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

Ficha técnica

87Em estoque

$14.81

$12.82

$12.33

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

24 A

105 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

134 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA

SCT3160KWAHRTL
ROHM Semiconductor
1: $9.20
990Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT3160KWAHRTL

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3160KWAHRTL

Novo Produto

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA

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Ficha técnica

990Em estoque

Corte de fita

$9.20

$6.84

$5.70

$5.17

Bobina

$4.38

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET

SCT3160KWATL
ROHM Semiconductor
1: $9.13
983Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT3160KWATL

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3160KWATL

Novo Produto

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET

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Ficha técnica

983Em estoque

Corte de fita

$9.13

$6.64

$5.53

$5.01

Bobina

$4.25

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7LA

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

17 A

208 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

42 nC

+ 175 C

100 W

Enhancement

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

SCT3080KRC14
ROHM Semiconductor
1: $16.27
150Em estoque
NRND

Fabricante Nº de ref.:
SCT3080KRC14

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3080KRC14

NRND

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 31A N-CH SIC

Ficha técnica

150Em estoque

$16.27

$10.50

$9.72

$9.71

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

80 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

165 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N

SCT3022KLGC11
ROHM Semiconductor
1: $51.98
66Em estoque
450Esperado 12/08/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCT3022KLGC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3022KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N

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Ficha técnica

66Em estoque

450Esperado 12/08/2026

$51.98

$41.13

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247N-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

95 A

28.6 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

427 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

SCT3030ALGC11
ROHM Semiconductor
1: $28.35
102Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3030ALGC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3030ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS

Obter mais informações

Ficha técnica

102Em estoque

$28.35

$22.46

$20.01

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

70 A

39 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

SCT3040KLGC11
ROHM Semiconductor
1: $38.42
322Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3040KLGC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3040KLGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS

Obter mais informações

Ficha técnica

322Em estoque

$38.42

$29.85

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

52 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

262 W

Enhancement

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

SCT3060ALGC11
ROHM Semiconductor
1: $15.35
839Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT3060ALGC11

Nº de ref. da Mouser #
755-SCT3060ALGC11

ROHM Semiconductor

MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS

Obter mais informações

Ficha técnica

839Em estoque

$15.35

$8.27

$8.13

$8.04

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

39 A

78 mOhms

- 4 V, + 22 V

5.6 V

58 nC

+ 175 C

165 W

Enhancement

SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

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