Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

Resultados: 30
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Nome comercial
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLL 351Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L 798Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 30mohm GaN FET in TOLT 1,428Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 100mohm GaN FET in TO220 850Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 611Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2,674Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 2,518Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 70mohm GaN FET in TO220 1,226Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLT 1,696Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 3,773Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 4,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 150mohm GaN FET in TO220 856Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN 1,685Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 4,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1,200
Mult.: 1,200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 50mohm GaN FET in TOLL Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 2,000
Mult.: 2,000
Bobina: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 3,000
Mult.: 3,000
Bobina: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 3,000
Mult.: 3,000
Bobina: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 70mohm GaN FET in TOLL Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 2,000
Mult.: 2,000
Bobina: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 3,000
Mult.: 3,000
Bobina: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 3,000
Mult.: 3,000
Bobina: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 3,000
Mult.: 3,000
Bobina: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 5,000
Mult.: 5,000
Bobina: 5,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 5,000
Mult.: 5,000
Bobina: 5,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 5,000
Mult.: 5,000
Bobina: 5,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics FETs GaN 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Tempo de conclusão sem o estoque 14 semanas
Mín.: 3,000
Mult.: 3,000
Bobina: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN