3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM

ISSI 3.3V Single Data Rate (SDR) Synchronous DRAM provides a wide selection of SDR SDRAM with densities from 16Mbit to 512Mbit in 1Mx16, 4Mx16, and 8Mx16 organizations. Each device features a single supply voltage (3.3V +/-0.3V), standard SDRAM clock timing, LVTTL compatible inputs, programmable burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, auto-refresh and self-refresh modes. ISSI 3.3V SDR Synchronous DRAM has a programmable CAS latency of 2 or 3. Typical applications for these devices include wireless access points, base stations, routers, network storage, energy management, industrial controls, car infotainment, and automotive telematics.

Resultados: 86
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tipo Tamanho da memória Largura do barramento de dados Frequência de operação máxima Caixa / Gabinete Organização Tempo de acesso Tensão de alimentação - Mín Tensão de alimentação - Máx Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Série Embalagem
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 668Em estoque
348Esperado 20/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 188

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 6,211Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 182

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 696Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS 343Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS 239Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS 188Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 58

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V 3,562Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 95

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS 785Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 79

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, IT 670Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 265

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16320F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS, IT 237Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 16

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32160F
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT 1,035Em estoque
864Esperado 24/04/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 869

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S32800J
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 2,679Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,298

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V 766Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 253

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) 237Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800G Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 323Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS 3,712Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDR SDRAM, 3.3V 2,926Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 112

SDRAM 256 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 16 M x 16 5.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 32Mb 2Mx16 133MHz Mobile SDRAM 982Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM Mobile 32 Mbit 16 bit 133 MHz BGA-54 2 M x 16 5.5 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16200D Tray
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS 87Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S83200J
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT 119Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 5

SDRAM 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200J
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 64Mx8, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT 47Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 512 Mbit 8 bit 167 MHz TSOP-II-54 64 M x 8 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S86400F Reel
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 166Mhz,RoHS 106Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 15

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz,RoHS 14Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166Mhz SDR SDRAM, 3.3V 241Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 16

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160G Tray
ISSI DRAM 256M 32Mx8 143MHz SDR SDRAM, 3.3V 39Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

SDRAM 256 Mbit 8 bit 143 MHz TSOP-II-54 32 M x 8 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S83200G Tray