MOSFETs de SiC – Mouser Brasil

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CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

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Caixa / Gabinete

Polaridade do transistor

Número de canais

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte

Id - Corrente de drenagem contínua

Rds On - Fonte de drenagem na resistência

Vgs - Voltagem de porta e fonte

Tensão de limite porta e fonte

Qg - Carga na porta

Temperatura operacional mínima

Temperatura operacional máxima

Pd - Dissipação de potência

Modo de canal

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Número de peça

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $37.56
187Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZC120R007M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZC120R007M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

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Ficha técnica

187Em estoque

$37.56

$32.63

$28.26

$23.54

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R004M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: $63.10
376Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMCQ120R004M2HXUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R004M2HXU

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Ficha técnica

376Em estoque

Corte de fita

$63.10

$52.14

$46.41

Bobina

$46.41

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

403 A

10.4 mOhms

- 10 V, 25 V

5.1 V

348 nC

- 55 C

+ 175 C

1.5 kW

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $26.24
833Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMCQ120R010M2HXTMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R010M2HXT

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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Ficha técnica

833Em estoque

Corte de fita

$26.24

$21.92

$19.18

Bobina

$19.18

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $39.53
578Em estoque
Novo Produto

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IMSQ120R012M2HHXUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMSQ120R012M2HHX

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Ficha técnica

578Em estoque

Corte de fita

$39.53

$34.33

$30.03

Bobina

$30.03

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $36.06
492Em estoque
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Fabricante Nº de ref.:
IMCQ120R007M2HXTMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R007M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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Ficha técnica

492Em estoque

Corte de fita

$36.06

$31.32

$27.39

Bobina

$27.39

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $17.38
492Em estoque
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IMCQ120R017M2HXTMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R017M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

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Ficha técnica

492Em estoque

Corte de fita

$17.38

$13.91

$12.03

Bobina

$12.03

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $12.62
1,988Em estoque
Novo Produto

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IMCQ120R026M2HXTMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R026M2HXT

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Ficha técnica

1,988Em estoque

Corte de fita

$12.62

$10.27

$8.55

$7.62

Bobina

$6.47

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $10.29
649Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMCQ120R034M2HXTMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R034M2HXT

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Ficha técnica

649Em estoque

Corte de fita

$10.29

$8.05

$6.71

$5.98

Bobina

$5.33

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $9.91
452Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMCQ120R040M2HXTMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R040M2HXT

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Ficha técnica

452Em estoque

Corte de fita

$9.91

$7.51

$6.26

$5.58

Bobina

$4.97

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $8.58
405Em estoque
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IMCQ120R053M2HXTMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R053M2HXT

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Ficha técnica

405Em estoque

Corte de fita

$8.58

$6.24

$5.20

$4.63

Bobina

$4.13

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: $7.33
570Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMCQ120R078M2HXTMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMCQ120R078M2HXT

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

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Ficha técnica

570Em estoque

Corte de fita

$7.33

$5.47

$4.43

$3.93

Bobina

$3.37

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $20.96
666Em estoque
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IMSQ120R026M2HHXUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMSQ120R026M2HHX

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Ficha técnica

666Em estoque

Corte de fita

$20.96

$17.87

$15.45

Bobina

$15.45

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $16.63
682Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMSQ120R040M2HHXUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMSQ120R040M2HHX

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Ficha técnica

682Em estoque

Corte de fita

$16.63

$12.86

$11.12

Bobina

$11.12

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R053M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: $13.89
404Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMSQ120R053M2HHXUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMSQ120R053M2HHX

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

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Ficha técnica

404Em estoque

Corte de fita

$13.89

$9.74

$8.65

$8.64

Bobina

$7.06

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 750

1.2 kV

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $23.22
150Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZA120R012M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZA120R012M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Ficha técnica

150Em estoque

$23.22

$19.00

$16.78

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

16 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

480 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $18.06
190Em estoque
Novo Produto

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IMZA120R017M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZA120R017M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Ficha técnica

190Em estoque

$18.06

$14.46

$12.50

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $13.23
230Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZA120R026M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZA120R026M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Ficha técnica

230Em estoque

$13.23

$9.88

$8.54

$8.09

$6.87

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

34 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $15.40
150Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZA120R022M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZA120R022M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Ficha técnica

150Em estoque

$15.40

$11.92

$10.30

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $11.10
188Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZA120R034M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZA120R034M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Ficha técnica

188Em estoque

$11.10

$8.68

$7.23

$6.45

$5.47

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $10.38
161Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZA120R040M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZA120R040M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Ficha técnica

161Em estoque

$10.38

$8.12

$6.77

$6.03

$5.37

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

48 A

51 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

218 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $9.20
237Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZA120R053M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZA120R053M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Ficha técnica

237Em estoque

$9.20

$6.84

$5.70

$5.08

$4.52

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

38 A

69 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $7.98
198Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZA120R078M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZA120R078M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

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Ficha técnica

198Em estoque

$7.98

$5.63

$4.69

$4.18

$3.72

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

28 A

103 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

21 nC

- 55 C

+ 175 C

143 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $23.22
664Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZC120R012M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZC120R012M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

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Ficha técnica

664Em estoque

$23.22

$19.00

$16.78

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $18.06
706Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZC120R017M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZC120R017M2HXK

Novo Produto

Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

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Ficha técnica

706Em estoque

$18.06

$14.46

$12.50

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: $13.23
683Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IMZC120R026M2HXKSA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IMZC120R026M2HXK

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Infineon Technologies

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

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Ficha técnica

683Em estoque

$13.23

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$8.09

$6.87

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Mouser Electronics®

Empresa

Recursos

Suporte

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A
97 A

7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms
51 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
89 nC
124 nC
176 nC
195 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
382 W
385 W
405 W