SIHx5N80AE Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs feature a low figure-of-merit, low effective capacitance, and reduced switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SIHx5N80AE Power MOSFETs provide an 850V drain-source voltage and are ideal for server and telecom power supplies. Additionally, the SIHx5N80AE MOSFETs utilize an ultra-low gate charge and integrated Zener diode ESD protection.

Resultados: 3
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
Vishay / Siliconix SIHU5N80AE-GE3
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 100 V
Ficha técnica
2,884Em estoque
Corte de fita
$1.85
$0.881
$0.786
$0.62
$0.579
Bobina
$0.541
Mín.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix SIHA5N80AE-GE3
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 3A E SERIES
Ficha técnica
1,593Em estoque
$2.06
$0.99
$0.886
$0.702
Exibir
Mín.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.35 Ohms 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs DPAK 800V 4.4A E SERIES
Ficha técnica
3,847Em estoque
$1.74
$0.824
$0.735
$0.579
Exibir
Mín.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube