FETs GaN – Mouser Brasil

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QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

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Selecionar	Imagem	Número de peça	Fabricante	Descrição	Ficha técnica	Disponibilidade	Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.	Qtde	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montagem	Caixa / Gabinete	Polaridade do transistor	Número de canais	Id - Corrente de drenagem contínua	Temperatura operacional mínima	Temperatura operacional máxima	Pd - Dissipação de potência	Frequência operacional máxima	Frequência operacional mínima	Tecnologia
	FETs GaN 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor QPD1426 Qorvo 1: $517.44 10Esperado 26/11/2026 Novo Produto	Fabricante Nº de ref.: QPD1426 Nº de ref. da Mouser # 772-QPD1426 Novo Produto	Qorvo	FETs GaN 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor Obter mais informações sobre Qorvo qpd1426 gan rf power transistor	Ficha técnica	10Esperado 26/11/2026	$517.44 $447.80 $430.38	Mín.: 1 Mult.: 1			SMD/SMT	NI-400-2	N-Channel	1 Channel	7 A	- 40 C	+ 85 C	221 W	2 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC
	FETs GaN 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor QPD1426L Qorvo 1: $517.44 10Esperado 26/11/2026 Novo Produto	Fabricante Nº de ref.: QPD1426L Nº de ref. da Mouser # 772-QPD1426L Novo Produto	Qorvo	FETs GaN 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor Obter mais informações sobre Qorvo qpd1426 gan rf power transistor	Ficha técnica	10Esperado 26/11/2026	$517.44 $447.80 $430.38	Mín.: 1 Mult.: 1			SMD/SMT	NI-400-2	N-Channel	1 Channel	7 A	- 40 C	+ 85 C	221 W	2 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC

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