18 bit Semicondutores

Tipos de Semicondutores
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS
Texas Instruments FIFO 2048 x 18 Synch FIFO Memory
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 160
Mult.: 160

Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 18 semanas
Mín.: 50
Mult.: 1
Não
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 18 semanas
Mín.: 50
Mult.: 1
Não
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 104
Mult.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 104
Mult.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 104
Mult.: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 52 semanas
Mín.: 104
Mult.: 104