MACOM GaN HEMT based MMIC [circuitos integrados de micro-ondas monolíticos (MMIC) baseados em transistor com alta mobilidade eletrônica (HEMT) construído em nitrito de gálio (GaN)]

Os Cree GaN (nitreto de gálio) HEMT (transistor de alta mobilidade de elétrons) baseados em MMIC (circuitos integrados de micro-ondas monolíticos) permitem que larguras de banda extremamente amplas sejam obtidas em conjuntos de pequeno porte. O GaN apresenta propriedades superiores em relação ao silicone ou arsenieto de gálio, incluindo tensão de ruptura mais elevada, maior velocidade saturada de deriva de elétron e maior condutividade térmica. Os GaN HEMT também oferecem maior densidade de potência e larguras de banda mais amplas para transistores Si e GaAs.