IRF520 MOSFETs

Resultados: 7
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Embalagem
Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
Não
Si Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 100 Volt 10 Amp

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 10 A 270 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET 9,488Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 9.2 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Channel 100V 1,333Em estoque
1,000Esperado 19/04/2027
Mín.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 9.2 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 16 nC - 55 C + 175 C 3.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 100V 9.2A N-CH MOSFET 1,504Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 9.2 A 270 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 9.7A 200mOhm 16.7nC 5,811Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 9.7 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 16.7 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 100V 14A N-CH 3,125Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 14 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 26 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Tube