18 GHz Semicondutores

Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS
Analog Devices Pré-escalador InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 344Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
: 500


MACOM Diodos PIN CW=3Watts Recovery time 15ns 400Em estoque
Mín.: 100
Mult.: 100
MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70Em estoque
Mín.: 10
Mult.: 10

MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20Em estoque
Mín.: 10
Mult.: 10

Analog Devices Pré-escalador InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz 521Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Analog Devices Pré-escalador InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 518Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
: 500

MACOM Diodos PIN 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2,875Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Analog Devices Pré-escalador InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 443Em estoque
7Esperado 27/07/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

MACOM FETs GaN GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750Esperado 15/09/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
: 250

Qorvo FETs GaN DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100Esperado 17/07/2026
Mín.: 100
Mult.: 100

Analog Devices Pré-escalador InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz Tempo de conclusão 10 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Qorvo FETs GaN DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB Tempo de conclusão 16 semanas
Mín.: 50
Mult.: 50

MACOM FETs GaN GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt Tempo de conclusão sem o estoque 26 semanas
Mín.: 10
Mult.: 10

Analog Devices Pré-escalador InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 14
Mult.: 14
Não
Analog Devices Pré-escalador InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 20
Mult.: 20
Não
Microchip Technology Diodos PIN Si Limiter Hermetic Microstrip Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Não
MACOM MA4L011-134
MACOM Diodos PIN Diode,Pin,Chip,Oxide Tempo de conclusão 16 semanas
Mín.: 100
Mult.: 100