PMDXB550UNEZ

Nexperia
771-PMDXB550UNEZ
PMDXB550UNEZ

Fabricante.:

Descrição:
MOSFETs SOT1216 2NCH 30V .59A

Modelo ECAD:
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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Nexperia
Categoria de produto: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-1010-6
N-Channel
2 Channel
30 V
590 mA
670 mOhms
- 8 V, 8 V
450 mV
1.05 nC
- 55 C
+ 150 C
4.03 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Nexperia
Configuração: Dual
País de montagem: Not Available
País de difusão: Not Available
País de origem: MY
Tempo de queda: 3 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 600 mS
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 7 ns
Quantidade do pacote de fábrica: 5000
Subcategoria: Transistors
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 12 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 4 ns
Aliases de núm de peça: 934069326147
Peso unitário: 1.290 mg
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Atributos selecionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET

Nexperia PMDXB550UNE Dual N-Channel MOSFET is a surface mount device that offers a low threshold voltage. This 30V enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) features exposed drain pad for an excellent thermal conduction and ESD protection. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits. The PMDXB550UNE MOSFET is designed using Trench MOSFET technology and is available in a leadless ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) plastic package.

PMDXBx 20V Trench MOSFETs

Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs consist of enhancement mode field-effect transistors (FET) in leadless, ultra-small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The devices employ Trench MOSFET technology, have an exposed drain pad for excellent thermal conduction, provide >1kV HBM ESD protection, and offer 470mΩ drain-source on-state resistance. The PMDXBx MOSFETs are available in dual N- and P-channel versions. The Nexperia PMDXBx 20V Trench MOSFETs are ideal for relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.