MOSFETs de Carbeto de Silício (SiC) SICWx

Os MOSFETs de Carbeto de Silício (SiC) SICWxda Micro Commercial Components (MCC) são MOSFETs de 650 V com alta capacidade de comutação. Esses MOSFETs utilizam a tecnologia SiC e são bem adequados para aplicações de alta tensão, oferecendo operação confiável em ambientes industriais severos. Os MOSFETs SICWx são projetados com baixa resistência RDS(on)  e baixa carga de porta para reduzir perdas de comutação e contribuir para maior eficiência geral do sistema. O design que melhora a eficiência e o pacote TO-247 proporcionam desempenho térmico superior, enquanto as opções de 3 pinos ou 4 pinos (pino de fonte Kelvin) aumentam a versatilidade. Os MOSFETs SICWx são fabricados com um design robusto e capacidade de avalanche para permitir melhor gerenciamento térmico e eficiência. Esses MOSFETs são ideais para uso em fontes de alimentação, telecomunicações, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores.

Resultados: 6
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Ficha técnica
360Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Ficha técnica
177Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 107 A 35 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 275 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Ficha técnica
336Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Ficha técnica
355Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 65 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 121 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247AB
Ficha técnica
337Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AB-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Micro Commercial Components (MCC) MOSFETs de SiC SiC MOSFET,TO-247-4
Ficha técnica
360Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 130 mOhms - 10 V, + 25 V 2.6 V 66 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement