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NVMFWS003N10MCT1G

Name: onsemi NVMFWS003N10MCT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS003N10MCT1G
Price: 4.24 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-VMFWS003N10MCT1G

Nº do fabricante:

NVMFWS003N10MCT1G

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 3.1mohm, 169A

Ficha técnica:

NVMFWS003N10MCT1G Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 1500)
	$1.57	$2,355.00
9,000	Cotação

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	DFNW-5
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	100 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	169 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	3.1 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 20 V, 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	4 V
Qg - Carga na porta:	62 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	194 W
Modo de canal:	Enhancement
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	14 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	150 S
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	15 ns
Série:	NVMFWS003N10MC
Quantidade do pacote de fábrica:	1500
Subcategoria:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	46 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	28 ns

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Ficha técnica

NVMFWS003N10MCT1G Ficha técnica

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMFWS003N10MC Single N-Channel Power MOSFETs offer a 169A continuous drain current, 3.1mΩ at 10V R_DS(ON), and 100V drain-to-source voltage. The NVMFWS002N10MCL is available in a 5mm x 6mm flat lead package developed for compact and efficient designs. The onsemi AEC-Q101-qualified MOSFET is PPAP-capable and ideal for automotive applications.