TGA2237 Wideband Distributed Amplifier

Qorvo TGA2237 Wideband Distributed Amplifier is fabricated on the Qorvo production 0.25um Gallium-Nitride (GaN) on Silicon Carbide (SiC) process. The TGA2237 operates from 0.03GHz to 2.5GHz and provides 10W of saturated output power with 13dB of large signal gain and greater than 50.% power-added efficiency. The broadband performance supports both radar and communication applications across defense and commercial markets as well as electronic warfare. The TGA2237 amplifier is fully matched to 50Ω at both RF ports allowing for simple system integration. DC blocks are required on both RF ports and the drain voltage must be injected through an off chip bias-tee on the RF output port.

Resultados: 2
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Frequência operacional Tensão de alimentação operacional Corrente de Alimentação Operativa Ganho Tipo Estilo de montagem Caixa / Gabinete Tecnologia P1dB - Ponto de compressão Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Série Embalagem
Qorvo Amplificadores de RF .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 25
Mult.: 25

2.5 GHz 30 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT Die GaN 32 dBm TGA2237 Gel Pack
Qorvo Amplificadores de RF 30-2500MHz 10W GaN PAE > 50% Gain 19dB Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Mín.: 25
Mult.: 25

30 MHz to 2.5 GHz 32 V 360 mA 19 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-32 GaN SiC 33 dBm - 40 C + 85 C TGA2237 Waffle