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NCV57001DWR2G

Name: onsemi NCV57001DWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001DWR2G
Price: 6.01 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NCV57001DWR2G

Nº do fabricante:

NCV57001DWR2G

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

Gate drivers isolados galvanicamente IGBT gate driver

Ficha técnica:

NCV57001DWR2G Ficha técnica

Modelo ECAD:

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$-.--

Ext. Preço:

$-.--

Est. Tarifa:

Embalagem:

Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 1000)

Corte de fita

MouseReel™ (+$7.00)

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	$6.01	$6.01
	$4.17	$41.70
	$3.82	$95.50
	$3.03	$303.00
	$2.91	$727.50
	$2.75	$1,375.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 1000)
	$2.48	$2,480.00
5,000	Cotação

† $7.00 taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	Gate drivers isolados galvanicamente
RoHS:
Série:	NCV57001
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	SOIC-16
Temperatura operacional mínima:	- 40 C
Temperatura operacional máxima:	+ 125 C
Pd - Dissipação de potência:	1.4 W
Atraso de propagação - Máx:	90 ns
Tempo de ascensão:	10 ns
Tempo de queda:	15 ns
Qualificação:	AEC-Q100
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuração:	Inverting, Non-Inverting
País de montagem:	Not Available
País de difusão:	Not Available
País de origem:	PH
Tempo de retardo de desligamento máximo:	90 ns
Tempo de retardo de acionamento máximo:	90 ns
Número de drivers:	1 Driver
Número de saídas:	1 Output
Corrente de Alimentação Operativa:	4.8 mA
Corrente de saída:	4 A
Produto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo de Produto:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Quantidade do pacote de fábrica:	1000
Subcategoria:	PMIC - Power Management ICs
Tensão de alimentação - Máx:	5 V
Tensão de alimentação - Mín:	3.3 V

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Ficha técnica

NCV57001DWR2G Ficha técnica

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers

onsemi NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers with internal galvanic isolation are designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The NCV57001's features include complementary inputs, open drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. The device allows both 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. The device provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. The NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Driver is packaged to fulfill reinforced safety insulation requirements. The device is offered in a wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output.

Galvanically Isolated High Current Gate Drivers

onsemi Galvanically Isolated High Current Gate Drivers offer high transient and electromagnetic immunity. The NCx5700x is a high-current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation, designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The drivers feature complementary inputs, open-drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, soft turn-off at DESAT, and separate high and low (OUTH and OUTL) driver outputs for system design convenience. The NCx5700x accommodates 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. These onsemi devices provide >5kV_RMS (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_IORM (working voltage) capabilities. The NCx5700x series is available in the wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output to fulfill reinforced safety insulation requirements.