TGF297x GaN RF Transistors

Qorvo TGF297x GaN RF Transistors have a frequency range of DC to 12GHz and offer output power from 6W up to 22W. The TGF2970 transistors are constructed using a TQGaN25 process, which features field plate techniques to optimize power and efficiency at a high drain bias operation. Qorvo TGF297x GaN RF Transistors are ideal for military radar and commercial radar including avionics, marine, and weather.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Qorvo FETs GaN 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Ficha técnica
305Em estoque
700No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 326 mA + 225 C 8.4 W
Qorvo FETs GaN 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.3 A + 225 C 33 W
Qorvo FETs GaN 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 20 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT QFN-20 N-Channel 1 Channel 32 V 1.8 A + 225 C 49 W