SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC Trench-Type 7-Pin MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure to reduce ON resistance by 50% and input capacitance by 35% over planar-type SiC MOSFETs. The MOSFETs include an additional pin that separates the driver and power source pins, eliminating the inductance component's effects in reducing Vgs, ensuring faster switching speeds. The ROHM Semiconductor Trench-Type MOSFETs feature a high voltage resistance, low ON resistance, fast switching speed, simple to drive, and easy to parallel.

Resultados: 8
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 40m 3rd Gen TO-263-7L 500Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 56 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 120m 3rd Gen TO-263-7L 2,773Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 650V 70A N-CH SIC 978Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 60m 3rd Gen TO-263-7L 1,757Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 650V 80m 3rd Gen TO-263-7L 855Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 105m 3rd Gen TO-263-7L 766Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 23 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 125 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO263 1.2KV 30A N-CH SIC 399Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L 1,926Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement