CoolGaN™ G3 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ G3 Transistors are designed to deliver superior performance in high-power density applications. These transistors feature a very low on-state resistance, enabling efficient power conversion and reduced energy losses. Available in four voltage options (60V, 80V, 100V, or 120V), the Infineon CoolGaN G3 Transistors deliver ultra-fast switching with an ultra-low gate/output charge. The transistors are housed in compact PQFN packages, which enhance thermal management and support dual-side cooling, ensuring reliable operation even under demanding conditions. These features make CoolGaN G3 Transistors a top choice for applications such as telecom, data center power supplies, and industrial power systems.

Resultados: 8
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Nome comercial
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm 8,919Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 120 V 71 A 3.7 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 5 mohm 3,840Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 38 A 7 mOhms 6.5 V 2.9 V 6.1 nC - 40 C + 150 C 23 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm 3,399Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 100 V 23 A 11 mOhms 6.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 60 V G3 in PQFN 3x5, 1.3 mohm 3,577Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 60 V 99 A 1.9 mOhms 6.5 V 2.9 V 13 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN CoolGaN Transistor 80 V G3 in PQFN 3x5, 1.8 mohm 6,355Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

SMD/SMT 1 Channel 80 V 86 A 2.5 mOhms 6.5 V 2.9 V 12 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN MV GAN DISCRETES 2,250Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-4 HEMT 1 Channel 100 V 23 A - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 3.4 nC - 40 C + 150 C 15 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN MV GAN DISCRETES 5,415Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

SMD/SMT PG-VSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies FETs GaN MV GAN DISCRETES 1,225Em estoque
10,000Esperado 23/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-6 HEMT 1 Channel 100 V 76 A 3.3 mOhms - 4 V, + 5.5 V 2.9 V 11 nC - 40 C + 150 C 45 W Enhancement CoolGaN