MOSFETs de SiC – Mouser Brasil

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

STMicroelectronics 650V 3rd Generation Silicon Carbide (SiC) MOSFETs feature low on-state resistance (R_DS(on)) per area, even at high temperatures, and excellent switching performance. This translates into more efficient and compact systems. The SiC MOSFETs feature excellent switching performance over IGBTs, simplifying the thermal design of power electronic systems. These 650V SiC MOSFETs have been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The low RDS(on), low capacitances, and high switching operations improve application performance in frequency, energy efficiency, system size, and weight reduction.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 11

Filtros aplicados:

Estilo de montagem

Caixa / Gabinete

Id - Corrente de drenagem contínua

Rds On - Fonte de drenagem na resistência

Vgs - Voltagem de porta e fonte

Tensão de limite porta e fonte

Qg - Carga na porta

Temperatura operacional máxima

Pd - Dissipação de potência

Qualificação

Redefinir tudo

Pesquisar dentro dos resultados

Em estoque

Normalmente no estoque

Ativo

Novos produtos

Em conformidade com a RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Número de peça

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1: $11.32
969Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT040H65G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A

Obter mais informações

Ficha técnica

969Em estoque

Corte de fita

$11.32

$7.85

$6.63

Bobina

$6.19

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

40 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

39.5 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

SCTW90N65G2V
STMicroelectronics
1: $24.60
47Em estoque
600Esperado 20/04/2026

Fabricante Nº de ref.:
SCTW90N65G2V

Nº de ref. da Mouser #
511-SCTW90N65G2V

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP24

Obter mais informações

Ficha técnica

47Em estoque

600Esperado 20/04/2026

$24.60

$21.18

$19.93

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

90 A

25 mOhms

- 10 V, + 22 V

1.9 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

390 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1: $12.67
1,082Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT027H65G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT027H65G3AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package

Obter mais informações

Ficha técnica

1,082Em estoque

Corte de fita

$12.67

$8.88

$7.72

Bobina

$7.21

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

39.3 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

48.6 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1: $10.84
547Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT040W65G3-4

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040W65G3-4

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Obter mais informações

Ficha técnica

547Em estoque

$10.84

$6.48

$6.16

$5.87

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $12.54
638Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT040W65G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040W65G3-4AG

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

Obter mais informações

Ficha técnica

638Em estoque

$12.54

$9.08

$7.77

$7.43

$7.08

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

37.5 nC

- 55 C

+ 200 C

240 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1: $8.53
1,779Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT055TO65G3

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT055TO65G3

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package

Obter mais informações

Ficha técnica

1,779Em estoque

Corte de fita

$8.53

$5.85

$5.16

$4.69

$4.29

Bobina

$4.29

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: $9.56
37Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT040TO65G3

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT040TO65G3

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

Obter mais informações

Ficha técnica

37Em estoque

Corte de fita

$9.56

$7.22

$5.36

$5.00

Bobina

$5.00

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,800

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

35 A

63 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

42.5 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1: $15.48
197Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT018H65G3AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT018H65G3AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Obter mais informações

Ficha técnica

197Em estoque

Corte de fita

$15.48

$10.93

$10.52

$9.96

Bobina

$9.30

MouseReel disponível

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $15.62
532Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT018W65G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT018W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package

Obter mais informações

Ficha técnica

532Em estoque

$15.62

$12.30

$10.12

$9.87

$9.40

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

77 nC

- 55 C

+ 200 C

398 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: $12.52
57Em estoque

Fabricante Nº de ref.:
SCT055W65G3-4AG

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Obter mais informações

Ficha técnica

57Em estoque

$12.52

$10.19

$8.49

$7.07

Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1,000: $8.72
Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
SCT018H65G3-7

Nº de ref. da Mouser #
511-SCT018H65G3-7

Novo Produto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Obter mais informações

Ficha técnica

Tempo de conclusão sem o estoque 16 semanas

Bobina

$8.72

Mín.: 1,000
Mult.: 1,000

Bobina: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

650V 3rd Gen SiC MOSFETs

Mouser Electronics®

Empresa

Recursos

Suporte