ADL9006 Self-Biased LNA (2GHz-28GHz)

Analog Devices ADL9006 Self-Biased LNA (2GHz to 28GHz) is a gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), monolithic microwave integrated circuit (MMIC) low noise amplifier. The amplifier operates between 2GHz and 28GHz. The amplifier provides 15.5dB of gain, a 2.5dB noise figure, 26dBm output third-order intercept (OIP3), and 20dBm of output power for 1dB compression (P1dB) while requiring 53mA from a 5V supply. The Analog Devices  ADL9006 is self-biased, with only a single positive supply needed to achieve a supply current (IDD) of 53mA.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Frequência operacional
Tensão de alimentação operacional
Corrente de Alimentação Operativa
Ganho
NF - Figura de ruído
Tipo
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Tecnologia
P1dB - Ponto de compressão
OIP3 - Interceptação do terceiro pedido
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
Analog Devices Amplificadores de RF 2 GHz to 30 GHz LNA
Ficha técnica
3Em estoque
100Esperado 13/08/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

2 GHz to 28 GHz 4 V to 7 V 53 mA 15.5 dB 2.5 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 20 dBm 26 dBm - 40 C + 85 C Cut Tape
Analog Devices Amplificadores de RF 2 GHz to 30 GHz LNA
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 500
Mult.: 500
: 500

2 GHz to 28 GHz 15.5 dB 2.5 dB SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 18 dBm 19.5 dBm - 40 C + 85 C Reel