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NVBLS1D7N10MCTXG

Name: onsemi NVBLS1D7N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBLS1D7N10MCTXG
Price: 7.64 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NVBLS1D7N10MCTXG

Nº do fabricante:

NVBLS1D7N10MCTXG

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs PTNG 100V STD TOLL

Ficha técnica:

NVBLS1D7N10MCTXG Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$7.64	$7.64
	$5.17	$51.70
	$3.77	$377.00
	$3.61	$1,805.00
	$3.48	$3,480.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 2000)
	$3.37	$6,740.00

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	H-PSOF-8
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	100 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	265 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	1.8 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 20 V, 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	4 V
Qg - Carga na porta:	115 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	303 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	PowerTrench
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	31 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	220 S
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	38 ns
Série:	NVBLS1D7N10MC
Quantidade do pacote de fábrica:	2000
Subcategoria:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	76 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	48 ns

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Ficha técnica

NVBLS1D7N10MCTXG Ficha técnica

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Códigos de conformidade

USHTS:: 8541290040
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Classificações de Origem

País de origem:: Filipinas
País de Origem da Montagem:: Filipinas
País de difusão:: Coréia, República da

O país está sujeito a alterações no momento do envio.

NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi NVBLS1D7N10MCTXG N-Channel PowerTrench^® MOSFET supplies a high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses. The NVBLS1D7N10MCTXG is AEC-Q101 qualified and PPAP capable, ideal for automotive applications.