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RDGD31603PHSEVM

Name: NXP RDGD31603PHSEVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-RDGD31603PHSEVM
Price: 797.76 USD
Availability: InStock

Nº da Mouser:

771-RDGD31603PHSEVM

Nº do fabricante:

RDGD31603PHSEVM

Fabricante.:

NXP Semiconductors

Descrição:

Ferramentas de desenvolvimento IC de gestão de alimentação RDGD31603PHSEVM

Ficha técnica:

RDGD31603PHSEVM Ficha técnica (PDF)

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoria de produto:	Ferramentas de desenvolvimento IC de gestão de alimentação
RoHS:	N
Produto:	Reference Design Boards
Tipo:	Inverter
Tensão de entrada:	12 V
Ferramenta para avaliação de:	GD3160
Marca:	NXP Semiconductors
Tipo de interface:	SPI
Tipo de Produto:	Power Management IC Development Tools
Quantidade do pacote de fábrica:	1
Subcategoria:	Development Tools
Aliases de núm de peça:	935427963598

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Ficha técnica

RDGD31603PHSEVM Ficha técnica (PDF)

USHTS:: 8473301180
TARIC:: 8473302000
ECCN:: EAR99

RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive Reference Design

NXP Semiconductors RDGD31603PHSEVM VE-Trac™ Drive Reference Design demonstrates a three-phase inverter circuit based on six GD3160 Gate Drivers. The GD3160 is an advanced single-channel high-voltage isolated Gate Driver with enhanced features for driving and protecting Silicon Carbide (SiC) MOSFETs or IGBTs and functional safety. The RDGD3160I3PH5EVB supports SPI daisy chain communication for programming and communication with three high-side gate drivers and three low-side gate drivers independently. The Reference Design includes fault management and all supporting circuitry. Other supporting features on the board include desaturation short-circuit detection, IGBT/SiC temperature sensing, DC Link bus voltage monitoring, phase current sensing, and motor resolver excitation and signal processing connection circuitry.