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QPD1013EVB01

Name: Qorvo QPD1013EVB01
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1013EVB01
Price: 875 USD
Availability: OutOfStock

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Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

772-QPD1013EVB01

Nº do fabricante:

QPD1013EVB01

Fabricante.:

Qorvo

Descrição:

Ferramentas de desenvolvimento RF DC-2.7GHz 150W Eval Board

Ficha técnica:

QPD1013EVB01 Ficha técnica (PDF)

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	$875.00	$875.00

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoria de produto:	Ferramentas de desenvolvimento RF
RoHS:
Produto:	Evaluation Boards
Tipo:	RF Transistor
Ferramenta para avaliação de:	QPD1013
Frequência:	1.2 GHz to 1.9 GHz
Marca:	Qorvo
Para uso com:	QPD1013 GaN RF Transistor
Embalagem:	Bulk
Tipo de Produto:	RF Development Tools
Série:	QPD1013
Quantidade do pacote de fábrica:	1
Subcategoria:	Development Tools
Aliases de núm de peça:	QPD1013
Peso unitário:	340.825 g

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Ficha técnica

QPD1013EVB01 Ficha técnica (PDF)

CNHTS:: 8542330000
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USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330201
ECCN:: EAR99

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.

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Qorvo QPD1013 GaN RF Transistor Evaluation Board evaluates the QPD1013 GaN RF transistor. This evaluation board works in a frequency range of 1.2GHz to 1.9GHz. The QPD1013 GaN RF transistor is a high-power, wide-bandwidth High Electron Mobility Transistor (HEMT) which operates from DC to 2.7GHz.