RBRxx60ANZ Low VF Type Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ Schottky Barrier Diodes are cathode common dual type diodes that come in a TO-220FN package. These diodes are manufactured using silicon epitaxial planar type construction and operate at -55°C to +150°C temperature range. ROHM Semiconductor RBRxx60ANZ barrier diodes offer low VF and high reliability. These Schottky barrier diodes are ideally suited for switching power supplies and general rectification.

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Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Produto Estilo de montagem Caixa / Gabinete Configuração Tecnologia If - Corrente direta Vrrm - Tensão inversa repetitiva Vf - Tensão no sentido direto Ifsm - Corrente de surto no sentido direto Ir - Corrente inversa Temperatura operacional máxima Embalagem
ROHM Semiconductor Diodos e retificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 10A, ITO-220AB Tempo de conclusão sem o estoque 12 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 60 V 650 mV 50 A 200 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Diodos e retificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 20A, ITO-220AB Tempo de conclusão sem o estoque 12 semanas
Mín.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 60 V 640 mV 100 A 400 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Diodos e retificadores Schottky Schottky Barrier Diode Low VF, 60V, 30A, ITO-220AB Tempo de conclusão sem o estoque 12 semanas
Mín.: 1,000
Mult.: 1,000

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 60 V 670 mV 100 A 600 uA + 150 C Tube