GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET delivers lower capacitance and higher system efficiency. The GP2T080A120H features high-speed switching, a driver source pin for gate driving, and a reliable body diode. The GP2T080A120H 1200V SiC MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. Furthermore, the GP2T080A120H s easy to parallel and offers a lower Qg. The device is ideal for solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
SemiQ MOSFETs de SiC 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
Ficha técnica
6Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ MOSFETs de SiC SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
Ficha técnica
120Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement