PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs

PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTs offer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ +25°C. PANJIT PTGH IGBTs are co-packaged with low Qrr and a soft recovery diode. The IGBTs ensure efficient performance with a maximum junction temperature of TVJ +175°C. The devices are designed for reliability under demanding conditions. A positive coefficient VCEsat enables easy paralleling usage. Moreover, the IGBTs are lead-free, comply with EU RoHS 2.0 standards, and utilize a Green molding compound in line with IEC 61249 standards.

Resultados: 2
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Caixa / Gabinete
Estilo de montagem
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Tensão de saturação do coletor - emissor
Tensão do emissor do gate máxima
Corrente contínua do coletor a 25ºC
Pd - Dissipação de potência
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
Panjit IGBTs 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor
Ficha técnica
900Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit IGBTs 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor
Ficha técnica
834Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube