Parece que você desabilitou JavaScript no seu navegador. Algumas funções nesta página não funcionarão, a menos que você acesse.

Voltar para os Resultados da Pesquisa

Identificou algum erro?

GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 11.48 USD
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

771-GAN041-650WSBQ

Nº do fabricante:

GAN041-650WSBQ

Fabricante.:

Nexperia

Descrição:

FETs GaN SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET

Ficha técnica:

GAN041-650WSBQ Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Mais informações

Saiba mais sobre Nexperia GAN041-650WSBQ

Em estoque: 336

Estoque:: 336 Pode ser enviado imediatamente

Ocorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.
Tempo de entrega da fábrica:: 4 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.

Digite a quantidade:

Mínimo: 1 Vários: 1

Preço unitário:

$-.--

Ext. Preço:

$-.--

Est. Tarifa:

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$11.48	$11.48
	$9.02	$90.20
	$8.46	$423.00
	$8.32	$832.00
	$7.07	$1,414.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 30)
	$9.02	$270.60

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoria de produto:	FETs GaN
RoHS:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	SOT-429-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	650 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	47.2 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	41 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.5 V
Qg - Carga na porta:	22 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	187 W
Modo de canal:	Enhancement
Marca:	Nexperia
Configuração:	Single
Tempo de queda:	10 ns
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Tipo de Produto:	GaN FETs
Tempo de ascensão:	10 ns
Quantidade do pacote de fábrica:	30
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Aliases de núm de peça:	934661752127
Peso unitário:	123 mg

Produtos encontrados:

Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção

Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.

Atributos selecionados: 0

Filtrar documento:

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GaN FETs for Industrial Applications

Nexperia GaN FETs for Industrial Applications offer efficient power use and efficiencies in power conversion and control. For some applications, power conversion efficiency and power density are critical for market adoption. Prime examples include high-voltage communications and industrial infrastructure sectors. GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system costs.

FET de Nitreto de Gálio (GaN) GAN041-650WSB

O FET de nitreto de gálio (GaN) GAN041-650WSB da Nexperia oferece tensão de drenagem de fonte de 650 V, corrente nominal de drenagem de 47,2 A e resistência máxima de 41 mΩ. O dispositivo GAN041 é fornecido em um pacote TO-247 e é um dispositivo normalmente desligado que combina tecnologia GaN HEMT H2 de alta tensão e tecnologias de MOSFET de silício de baixa tensão. A combinação dessas tecnologias oferece confiabilidade e desempenho superiores. O FET de Nitreto de Gálio (GaN) GAN041-650WSB da Nexperia é ideal para PFC totem-pole sem ponte, acionamentos de servomotores e conversores de comutação rígida e suave para alimentação industrial e de comunicação de dados.