FETs GaN – Mouser Brasil

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CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors feature highly efficient GaN (gallium nitride) transistor technology for power conversion in a voltage range up to 650V. Infineon’s GaN technology brings the e‑mode concept to maturity with high volumes of end-to-end production. This pioneering quality ensures the highest standards and offers the most reliable performance. The enhancement mode CoolGaN™ Gen 2 650V power transistors improve system efficiency and power density with ultra-fast switching.

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Resultados: 12

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Número de peça

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGLR65R140D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $3.65
4,684Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGLR65R140D2XUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGLR65R140D2XUMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

4,684Em estoque

Corte de fita

$3.65

$2.39

$1.67

$1.47

$1.44

Bobina

$1.19

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

13 A

170 mOhms

- 10 V

1.6 V

2.6 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGLR65R200D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $2.68
4,892Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGLR65R200D2XUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGLR65R200D2XUMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

4,892Em estoque

Corte de fita

$2.68

$1.73

$1.23

$1.03

$0.961

Bobina

$0.816

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

9.2 A

240 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.8 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGLR65R270D2XUMA1
Infineon Technologies
1: $2.37
4,928Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGLR65R270D2XUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGLR65R270D2XUMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

4,928Em estoque

Corte de fita

$2.37

$1.52

$1.04

$0.86

$0.796

Bobina

$0.676

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 5,000

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

7.2 A

330 mOhms

- 10 V

1.6 V

1.4 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGLT65R035D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $10.00
302Em estoque
1,800Esperado 19/03/2026
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGLT65R035D2ATMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGLT65R035D2ATMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

302Em estoque

1,800Esperado 19/03/2026

Corte de fita

$10.00

$7.58

$6.32

$5.63

$5.01

Bobina

$5.01

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGLT65R045D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $8.01
1,465Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGLT65R045D2ATMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGLT65R045D2ATMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

1,465Em estoque

Corte de fita

$8.01

$5.45

$4.21

$3.78

Bobina

$3.43

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

38 A

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGLT65R055D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.34
1,242Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGLT65R055D2ATMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGLT65R055D2ATMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

1,242Em estoque

Corte de fita

$6.34

$4.85

$3.92

$3.49

$2.99

Bobina

$2.99

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGLT65R110D2ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.39
1,674Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGLT65R110D2ATMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGLT65R110D2ATMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

1,674Em estoque

Corte de fita

$4.39

$2.93

$2.25

$2.00

Bobina

$1.65

Exibir

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

15 A

140 mOhms

- 10 V

1.6 V

3.4 nC

- 40 C

+ 150 C

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGOT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $12.24
415Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGOT65R025D2AUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGOT65R025D2AUMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

415Em estoque

Corte de fita

$12.24

$8.56

$7.38

Bobina

$6.02

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

61 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

181 W

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGOT65R035D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $10.09
761Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGOT65R035D2AUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGOT65R035D2AUMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

761Em estoque

Corte de fita

$10.09

$7.89

$6.58

$5.86

Bobina

$5.22

Cotação

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

42 mOhms

- 10 V

1.6 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

132 W

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGOT65R045D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $8.17
1,388Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGOT65R045D2AUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGOT65R045D2AUMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

Obter mais informações

Ficha técnica

1,388Em estoque

Corte de fita

$8.17

$5.63

$4.38

$4.37

Bobina

$3.98

$3.57

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

54 mOhms

- 10 V

1.6 V

8.4 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGOT65R055D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $6.90
730Em estoque
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGOT65R055D2AUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGOT65R055D2AUMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

730Em estoque

Corte de fita

$6.90

$5.05

$4.08

$3.63

Bobina

$3.11

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

66 mOhms

- 10 V

1.6 V

6.6 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

FETs GaN HV GAN DISCRETES

IGLT65R025D2AUMA1
Infineon Technologies
1: $11.82
3,635No pedido
Novo Produto

Fabricante Nº de ref.:
IGLT65R025D2AUMA1

Nº de ref. da Mouser #
726-IGLT65R025D2AUMA

Novo Produto

Infineon Technologies

FETs GaN HV GAN DISCRETES

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Ficha técnica

3,635No pedido

Corte de fita

$11.82

$8.29

$7.10

$7.09

$6.38

Bobina

$5.79

Mín.: 1
Mult.: 1

Bobina: 1,800

SMD/SMT

HEMT

1 Channel

650 V

67 A

30 mOhms

- 10 V

1.6 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolGaN™ Gen 2 650V Power Transistors

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