Parece que você desabilitou JavaScript no seu navegador. Algumas funções nesta página não funcionarão, a menos que você acesse.

Identificou algum erro?

SIHF080N60E-GE3

Name: Vishay SIHF080N60E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHF080N60E-GE3
Price: 5.26 USD
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

78-SIHF080N60E-GE3

Nº do fabricante:

SIHF080N60E-GE3

Fabricante.:

Vishay / Siliconix

Descrição:

MOSFETs TO220 600V 14A E SERIES

Ficha técnica:

SIHF080N60E-GE3 Ficha técnica

Modelo ECAD:

Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Mais informações

Saiba mais sobre Vishay / Siliconix SIHF080N60E-GE3

Em estoque: 3,456

Estoque:: 3,456 Pode ser enviado imediatamente

Ocorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.

Digite a quantidade:

Mínimo: 1 Vários: 1

Preço unitário:

$-.--

Ext. Preço:

$-.--

Est. Tarifa:

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$5.26	$5.26
	$2.75	$27.50
	$2.50	$250.00
	$2.16	$2,160.00
	$1.95	$9,750.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-220FP-3
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	600 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	14 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	80 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 30 V, 30 V
Tensão de limite porta e fonte:	5 V
Qg - Carga na porta:	42 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	35 W
Modo de canal:	Enhancement
Embalagem:	Tube
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuração:	Single
Tempo de queda:	31 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	4.6 S
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	96 ns
Série:	SIHF E
Quantidade do pacote de fábrica:	1000
Subcategoria:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	37 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	31 ns
Peso unitário:	2 g

Produtos encontrados:

Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção

Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.

Atributos selecionados: 0

Filtrar documento:

Ficha técnica

SIHF080N60E-GE3 Ficha técnica

Technical Resources

TO-220 FULLPAK (High Voltage)

Esta funcionalidade requer o JavaScript para ser habilitada.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SiHF080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHF080N60E E Series Power MOSFETs feature 4th generation E series technology in a TO-220 FULLPAK package. The SiHF080N60E MOSFETs offer a low figure-of-merit (FOM) R_on x Q_g and a low effective capacitance (C_o(er)). The Vishay / Siliconix SiHF080N60E E Series Power MOSFETs have a 650V drain-source voltage 63nC total gate charge.