DMTH4004 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH4004 N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed to minimize the on-state resistance RDS(ON). These MOSFETs are ideal for high ambient temperature environments and are rated up to 175°C. The N-Channel MOSFETs are 100% UIS (Unclamped Inductive Switching) tested in production which ensures more reliable and robust end application. These MOSFETs offer a 40V drain-to-source voltage and minimizes switching losses. In DMTH4004 series the DMTH4004SCTBQ, DMTH4004SPSQ, and DMTH4004LK3 MOSFETs are designed to meet the strict requirements of automotive applications. All these MOSFETs are PPAP (Production Part Approval Process) capable and are qualified to AEC-Q101 standard. Diodes Incorporated DMTH4004 series MOSFETs are ideal for use in engine management systems, body control electronics, and DC-DC converters.

Resultados: 9
Selecionar Imagem Número de peça Fabricante Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade. Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia Estilo de montagem Caixa / Gabinete Polaridade do transistor Número de canais Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte Id - Corrente de drenagem contínua Rds On - Fonte de drenagem na resistência Vgs - Voltagem de porta e fonte Tensão de limite porta e fonte Qg - Carga na porta Temperatura operacional mínima Temperatura operacional máxima Pd - Dissipação de potência Modo de canal Qualificação Embalagem
Diodes Incorporated MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A 2,415Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V N-Ch Enh FET Low Rdson 2,363Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,370Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 82.2 nC - 55 C + 175 C 138 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 548Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 43Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 68.6 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 15,000Disponível no estoque da fábrica
Mín.: 2,500
Mult.: 2,500
Bobina: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 83 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 10,000Disponível no estoque da fábrica
Mín.: 2,500
Mult.: 2,500
Bobina: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8 T&R 2.5K Tempo de conclusão sem o estoque 24 semanas
Mín.: 2,500
Mult.: 2,500
Bobina: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 69.6 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V Tempo de conclusão sem o estoque 24 semanas
Mín.: 2,500
Mult.: 2,500
Bobina: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) AEC-Q101 Reel