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MRF1K50HR5

Name: NXP MRF1K50HR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-MRF1K50HR5
Price: 446.86 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

841-MRF1K50HR5

Nº do fabricante:

MRF1K50HR5

Fabricante.:

NXP Semiconductors

Descrição:

Transistores RF MOSFET Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

Ficha técnica:

MRF1K50HR5 Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 50)

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MouseReel™ (+$7.00)

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	$446.86	$446.86
	$387.04	$3,870.40
	$372.11	$9,302.75
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 50)
	$363.10	$18,155.00
100	Cotação

† $7.00 taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoria de produto:	Transistores RF MOSFET
RoHS:
Polaridade do transistor:	N-Channel
Tecnologia:	Si
Id - Corrente de drenagem contínua:	36 A
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	135 V
Frequência operacional:	1.8 MHz to 500 MHz
Ganho:	23.7 dB
Potência de saída:	1.5 kW
Temperatura operacional mínima:	- 40 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	NI-1230H-4S
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Marca:	NXP Semiconductors
Transcondutância em avanço - Mín:	33.5 S
Número de canais:	2 Channel
Pd - Dissipação de potência:	1.667 kW
Tipo de Produto:	RF MOSFET Transistors
Série:	MRF1K50H
Quantidade do pacote de fábrica:	50
Subcategoria:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	+ 10 V
Tensão de limite porta e fonte:	2.2 V
Aliases de núm de peça:	935313284178
Peso unitário:	0.001 mg

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Ficha técnica

MRF1K50HR5 Ficha técnica (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor

NXP MRF1K50H 1500W RF Power LDMOS Transistor combines high RF output power with superior ruggedness and thermal performance. The transistor is designed to deliver 1.50kW CW at 50V and allows a reduction in the number of transistors in high-power RF amplifiers. MRF1K50H has an input and output design that allows for wide frequency range use from 1.8MHz to 500MHz. Applications include laser and plasma sources to particle accelerators, industrial welding machines, radio and VHF TV broadcast transmitters, and amateur radio linear amplifiers.