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NTH4L028N170M1

Name: onsemi NTH4L028N170M1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L028N170M1
Price: 37.01 USD
Availability: InStock

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Nº da Mouser:

863-NTH4L028N170M1

Nº do fabricante:

NTH4L028N170M1

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO2

Ficha técnica:

NTH4L028N170M1 Ficha técnica

Modelo ECAD:

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Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$37.01	$37.01
	$28.09	$280.90

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	Through Hole
Caixa / Gabinete:	TO-247-4
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1.7 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	81 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	40 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 15 V, + 25 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.3 V
Qg - Carga na porta:	200 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	535 W
Modo de canal:	Enhancement
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	13 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	31 S
Embalagem:	Tube
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Tempo de ascensão:	18 ns
Série:	NTH4L028N170M1
Quantidade do pacote de fábrica:	450
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	121 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	47 ns

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Ficha técnica

NTH4L028N170M1 Ficha técnica

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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