MOSFETs IAUZ4xN06S5 60V Automotive OptiMOS™-5

Os MOSFETs IAUZ4xN06S5 Automotive OptiMOS™-5 da Infineon Technologies  apresentam baixa resistência de fonte de drenagem no estado ativado (RDS(on)), baixa carga de gate e baixa capacitância de gate, minimizando as perdas de condução e comutação. Estes MOSFETs de modo de intensificação e canal N também incluem extremamente baixa carga de recuperação reversa de 22,7nc a 23,0nC. 

Resultados: 2
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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Qualificação
Nome comercial
Embalagem
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Ficha técnica
4,057Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 41 A 10.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 12.5 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
Ficha técnica
13,003Em estoque
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT TSDSON-8-33 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 28 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel