STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Configuração
If - Corrente direta
Vrrm - Tensão inversa repetitiva
Vf - Tensão no sentido direto
Ifsm - Corrente de surto no sentido direto
Ir - Corrente inversa
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Qualificação
Embalagem
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Ficha técnica
114Em estoque
600Esperado 16/03/2026
MouseReel disponível
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 600

SMD/SMT HU3PAK-9 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 1.1 kA 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
Ficha técnica
878Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics Diodos Schottky de SiC Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
Ficha técnica
49Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.35 V 180 A 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube