LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs

Linear Integrated Systems LSK189 Ultra Low Noise Single N-Channel JFETs are ideal for ultra-low-noise audio/acoustic applications. With an -55°C to +150°C operating junction temperature range, the LSK189 JFETs feature 1.8nV/√Hz typical noise, a low 4pF typical input capacitance, and 300mW maximum continuous power dissipation. The LSK189 single N-channel JFETs are available in RoHS-compliant TO-92 or SOT-23 packages.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Configuração
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte
Tensão de corte do gate - fonte
Corrente da fonte de drenagem a Vgs=0
Id - Corrente de drenagem contínua
Pd - Dissipação de potência
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Ficha técnica
241Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Ficha técnica
56Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Linear Integrated Systems JFETs Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 3,000
Mult.: 3,000
Bobina: 3,000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Reel