TPH1100CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TPH1100CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs feature an 8-pin SMT power MOSFET designed with a U-MOSX-H generation Trench process. The MOSFETs offer improved reverse recovery characteristics, including a fast 36ns reverse recovery time and a 27nC typical reverse recovery charge. The TPH1100CQ5 series reduces power loss in switching power supplies, which increases efficiency in synchronous rectification applications. The Toshiba TPH1100CQ5 Silicon N-Channel MOSFETs provide low drain-source on-resistance and low leakage current ratings, making them ideal for various power and industrial applications. Typical applications include high-efficiency DC/DC converters, switching voltage regulators, motor drivers, data centers, and communication base systems.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Embalagem
Toshiba MOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 11.1mohm
Ficha técnica
9,980Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 2 Channel 150 V 90 A 11.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 38 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 150V UMOS10-H SOP Advance(N) 14.1mohm
Ficha técnica
4,995Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 150 V 77 A 14.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape