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CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 81.34 USD
Availability: OutOfStock

Nº da Mouser:

941-CGHV27030S

Nº do fabricante:

CGHV27030S

Fabricante.:

MACOM

Descrição:

FETs GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Ficha técnica:

CGHV27030S Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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Preço unitário:

$-.--

Ext. Preço:

$-.--

Est. Tarifa:

Embalagem:

Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 250)

Corte de fita

MouseReel™ (+$7.00)

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	$81.34	$81.34
	$64.32	$643.20
	$54.05	$5,405.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 250)
	$54.05	$13,512.50

† $7.00 taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoria de produto:	FETs GaN
RoHS:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	DFN-12
Polaridade do transistor:	N-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	150 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	3.6 A
Tensão de limite porta e fonte:	- 3 V
Temperatura operacional mínima:	- 40 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Pd - Dissipação de potência:	12 W
Marca:	MACOM
Configuração:	Single
Ganho:	21 dB
Voltagem do gate de dreno máxima:	50 V
Frequência operacional máxima:	2.7 GHz
Frequência operacional mínima:	0 Hz
Sensível à umidade:	Yes
Potência de saída:	30 W
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Tipo de Produto:	GaN FETs
Quantidade do pacote de fábrica:	250
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte:	- 10 V, 2 V
Peso unitário:	282.130 mg

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Ficha técnica

CGHV27030S Ficha técnica (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV27030S GaN HEMT

MACOM CGHV27030S 30W Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) provides wide bandwidth capabilities and high efficiency with high gain. Operating from DC to 6GHz, the module offers 21dB gain, -36dBc ACLR, and 32% efficiency at 5W PAVE. The transistor is capable of operating with either a 28V or 50V rail. MACOM CGHV27030S GaN HEMT is well-suited for telecommunications applications operating at both 28V and 50V. The device is also ideal for tactical communications applications as well as L-band and S-band radar.