NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module

onsemi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST Module offers three channels, higher output power, and easy module mounting. Each channel contains two 1000V, 100A IGBTs, two 1200V, 30A SiC diodes, and two 1600V, 30A bypass diodes. The Q2BOOST Module provides excellent efficiency and thermal losses, with the flexibility to support different manufacturing processes.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Produto
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Tensão de saturação do coletor - emissor
Corrente contínua do coletor a 25ºC
Corrente de dispersão do gate - emissor
Pd - Dissipação de potência
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Embalagem
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi Módulos IGBT PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi Módulos IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Ficha técnica
36Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi Módulos IGBT MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
Ficha técnica
72Disponível no estoque da fábrica
Mais informações disponíveis
Mín.: 36
Mult.: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray