DDR4 Memory ICs

SMARTsemi DDR4 Memory ICs feature a power supply (JEDEC standard 1.2V) of VDD = 1.2V ± 5%, and VPP = 2.375V to 2.75V. The ICs have up to 8 banks (4 banks x 2 bank groups) for x 16 products. The DDR4 feature a Pseudo Open Drain (POD) interface with a Burst Length (BL) of 8 and 4 with Burst Chop (BC).

Resultados: 6
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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamanho da memória
Largura do barramento de dados
Frequência de operação máxima
Caixa / Gabinete
Organização
Tensão de alimentação - Mín
Tensão de alimentação - Máx
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Industrial
Ficha técnica
396Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 256MX16 2666Mbps 1.2V 96-FBGA Commercial
Ficha técnica
198Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit 1.333 GHz FBGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Commercial
Ficha técnica
69Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
Ficha técnica
210Esperado 03/09/2026
Mín.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C
SMARTsemi DRAM DRAM DDR4 4GB 512MX8 2666Mbps 1.2V 78-FBGA Industrial
Ficha técnica
210No pedido
Mín.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 4 Gbit 8 bit 1.333 GHz FBGA-78 512 M x 8 1.14 V 1.26 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
SMARTsemi DRAM DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp
Ficha técnica
Não estocado
Mín.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C