MOSFET NTH4L022N120M3S Silicon Carbide (SiC)

Os MOSFETs NTH4L022N120M3S Silicon Carbeto (SiC) da onsemi são uma família de MOSFETs SiC planar de 1.200 V M3S. O MOSFET NTH4L022N120M3S da onsemi é otimizado para aplicações de comutação rápida. A tecnologia planar funciona de forma confiável com atuadores de tensão negativa de gate e desliga picos no gate. Estes MOSFETS apresentam excelente desempenho quando acionados com um gate drive de 18 V, mas também funcionam bem com um gate drive de 15 V.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Nome comercial

onsemi MOSFETs de SiC DISCRETE SIC M3S 1200V 13
Ficha técnica
246Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 151 A 20 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 254 nC - 55 C + 175 C 682 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1
Ficha técnica
1,634Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 151 nC - 55 C + 175 C 352 W Enhancement EliteSiC