RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs

ROHM Semiconductor RH7G04 40V N-Channel Power MOSFETs are 40V drain-source voltage (VDSS) and ±40A continuous drain current (ID) rated automotive-grade MOSFETs that are AEC-Q101 qualified. These MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance [RDS(ON)] and are available in a 3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) package. The ROHM Semiconductor RH7G04 MOSFETs are ideal for Advanced Driver Assistance Systems (ADAS), information, lighting, and body applications.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Polaridade do transistor
Número de canais
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Id - Corrente de drenagem contínua
Rds On - Fonte de drenagem na resistência
Vgs - Voltagem de porta e fonte
Tensão de limite porta e fonte
Qg - Carga na porta
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Pd - Dissipação de potência
Modo de canal
Qualificação
Embalagem
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 P CHAN 30V
Ficha técnica
2,180Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 N CHAN 40V
Ficha técnica
2,400Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000
Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN8 N CHAN 40V
Ficha técnica
3,000Esperado 13/02/2026
Mín.: 1
Mult.: 1
Bobina: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 7.6 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape