Estágio de potência meia-ponte LMG5200 80V GaN

O estágio de potência meia-ponte LMG5200 80V GaN da Texas Instruments oferece uma solução integrada de estágio de potência utilizando FETs de nitreto de gálio (GaN) modo intensificado. O dispositivo consiste de dois FETs GaN de 80V acionados por um driver FET GaN de alta frequência em uma configuração de meia-ponte. Os FETs GaN oferecem vantagens significativas para conversão de potência, uma vez que incluem recuperação reversa quase-zero em um C_ISS de capacitância de entrada muito baixa. Todos os dispositivos são montados em uma plataforma de pacote completamente livre de fio de ligação (bond-wire) com elementos parasíticos de pacote minimizados. As entradas compatíveis com lógica TTL podem suportar tensões de entrada de até 12V independentemente da tensão do V_CC (tensão no coletor comum). A técnica proprietária de clampeamento de tensão bootstrap garante que as tensões no gate dos FETs de GaN modo intensificado estejam dentro da faixa operacional segura.