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CGHV96100F2

Name: MACOM CGHV96100F2
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV96100F2
Price: 1416.43 USD
Availability: OutOfStock

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Nº da Mouser:

941-CGHV96100F2

Nº do fabricante:

CGHV96100F2

Fabricante.:

MACOM

Descrição:

FETs GaN GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Ficha técnica:

CGHV96100F2 Ficha técnica (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1,416.43	$1,416.43

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoria de produto:	FETs GaN
Restrições à remessa:	Esse produto pode exigir documentação adicional para exportação para fora dos Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montagem:	Screw Mount
Caixa / Gabinete:	440210
Polaridade do transistor:	N-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	100 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	12 A
Tensão de limite porta e fonte:	- 3 V
Temperatura operacional mínima:	- 40 C
Temperatura operacional máxima:	+ 150 C
Marca:	MACOM
Configuração:	Single
Kit de desenvolvimento:	CGHV96100F2-TB
Ganho:	12.4 dB
Frequência operacional máxima:	9.6 GHz
Frequência operacional mínima:	7.9 GHz
Potência de saída:	131 W
Embalagem:	Tray
Produto:	GaN HEMTs
Tipo de Produto:	GaN FETs
Quantidade do pacote de fábrica:	10
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs - Tensão de ruptura porta e fonte:	- 10 V to 2 V
Peso unitário:	65.235 g

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Ficha técnica

CGHV96100F2 Ficha técnica (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.b.2

GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

X-Band GaN HEMTs & MMICs

MACOM X-Band Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) and Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) come with various solution platforms. That includes MMICs, internally matched GaN on SiC transistors (IM-FETs), and transistors. These multi-stage MMICs offer a variety of power levels, high gain, and high efficiency, while IM-FETs feature 50Ω building blocks in support of higher power systems. The transistors offer highly accurate modeling support that provides maximum flexibility to optimize amplifier design. The GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

CGHV96100F2 GaN HEMT

MACOM CGHV96100F2 Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) on silicon carbide (SiC) substrate is an internally matched (IM) FET that offers excellent power-added efficiency compared to other technologies. GaN provides superior properties to silicon or gallium arsenide (GaAs), including higher breakdown voltage, saturated electron drift velocity, and thermal conductivity. These CGHV96100F2 GaN HEMTs also offer greater power density and wider bandwidths than GaAs transistors. This MACOM IM FET is available in a metal/ceramic flanged package for optimal electrical and thermal performance.