Parece que você desabilitou JavaScript no seu navegador. Algumas funções nesta página não funcionarão, a menos que você acesse.

Identificou algum erro?

SIJK140E-T1-GE3

Name: Vishay SIJK140E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIJK140E-T1-GE3
Price: 7.36 USD
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

78-SIJK140E-T1-GE3

Nº do fabricante:

SIJK140E-T1-GE3

Fabricante.:

Vishay / Siliconix

Descrição:

MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Vida Útil:

Novo Produto:

Novo no fabricante.

Ficha técnica:

SIJK140E-T1-GE3 Ficha técnica

Modelo ECAD:

Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Mais informações

Saiba mais sobre Vishay / Siliconix SIJK140E-T1-GE3

Em estoque: 2,005

Estoque:: 2,005 Pode ser enviado imediatamente

Ocorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.
Tempo de entrega da fábrica:: 9 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.

Digite a quantidade:

Mínimo: 1 Vários: 1

Preço unitário:

$-.--

Ext. Preço:

$-.--

Est. Tarifa:

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
	$7.36	$7.36
	$5.20	$52.00
	$4.49	$449.00
	$4.24	$6,360.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoria de produto:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	PowerPAK 10x12
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	40 V
Id - Corrente de drenagem contínua:	795 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	470 uOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 20 V, 20 V
Tensão de limite porta e fonte:	3.5 V
Qg - Carga na porta:	312 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	536 W
Modo de canal:	Enhancement
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuração:	Single
Tempo de queda:	45 ns
Tipo de Produto:	MOSFETs
Tempo de ascensão:	45 ns
Série:	SiJK140E
Quantidade do pacote de fábrica:	1500
Subcategoria:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico:	85 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	40 ns

Produtos encontrados:

Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção

Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.

Atributos selecionados: 0

Filtrar documento:

Ficha técnica

SIJK140E-T1-GE3 Ficha técnica

Esta funcionalidade requer o JavaScript para ser habilitada.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET SiJK140E Canal N-Channel 40 V (D-S)

Vishay / Siliconix SiJK140E N-Channel 40V (D-S) MOSFET features TrenchFET^® Gen V power technology. This MOSFET optimizes power efficiency, and the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. The SiJK140E MOSFET is 100% R_g and UIS tested. This power MOSFET enhances power dissipation and lowers thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, OR-ing and hot-swap switches, power supplies, motor drive control, and battery management.

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs in PowerPAK^® 10 x 12 packaging feature power technology. These power MOSFETs optimize power efficiency, while the R_DS(on) minimizes power loss during conduction, ensuring efficient operation. These components are 100% Rg and UIS tested. Vishay / Siliconix Superjunction MOSFETs enhance power dissipation and lower thermal resistance (R_thJC). Typical applications include synchronous rectification, automation, and power supplies.