FGHL75T65MQDTx Trench IGBTs

onsemi FGHL75T65MQDTx Trench IGBTs are 4th generation mid-speed IGBTs technology-packed with fully rated current diode. The FGHL75T65MQDTx IGBTs operate at 175°C maximum junction temperature, 650V collector to emitter voltage, and 75A collector current. These IGBTs feature positive temperature co-efficient for easy parallel operation, high current capability, smooth and optimized switching, and tight parameter distribution. The FGHL75T65MQDT is built in a TO247-3L package and the FGHL75T65MQDTL4 IGBT is built in a TO247-4L package. These IGBTs are ideal for applications in solar inverters, UPS, ESS, PFC, and converters.

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 Fabricante
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Qtde RoHS Modelo ECAD Tecnologia
Caixa / Gabinete
Estilo de montagem
Configuração
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor
Tensão de saturação do coletor - emissor
Tensão do emissor do gate máxima
Corrente contínua do coletor a 25ºC
Pd - Dissipação de potência
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Série
Embalagem

onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 7
Ficha técnica
432Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDTL4 Tube

onsemi IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
Ficha técnica
103Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.45 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C FGHL75T65MQDT Tube