Parece que você desabilitou JavaScript no seu navegador. Algumas funções nesta página não funcionarão, a menos que você acesse.

Voltar para os Resultados da Pesquisa

Identificou algum erro?

NVBG080N120SC1

Name: onsemi NVBG080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG080N120SC1
Price: 11.34 USD
Availability: InStock

As imagens são apenas para referência
Veja as especificações do produto

Nº da Mouser:

863-NVBG080N120SC1

Nº do fabricante:

NVBG080N120SC1

Fabricante.:

onsemi

Descrição:

MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

Ficha técnica:

NVBG080N120SC1 Ficha técnica

Modelo ECAD:

Baixe o aplicativo gratuito Library Loader para converter este artigo para sua ferramenta ECAD. Saiba mais sobre o Modelo ECAD.

Mais informações

Saiba mais sobre onsemi NVBG080N120SC1

Em estoque: 1,973

Estoque:: 1,973 Pode ser enviado imediatamente

Ocorreu um erro inesperado. Tente novamente mais tarde.
Tempo de entrega da fábrica:: 13 semanas Tempo estimado de produção de fábrica para quantidades acima do indicado.

Digite a quantidade:

Mínimo: 1 Vários: 1

Preço unitário:

$-.--

Ext. Preço:

$-.--

Est. Tarifa:

Embalagem:

Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 800)

Corte de fita

MouseReel™ (+$7.00)

Preços (USD)

Qtde	Preço unitário	Ext. Preço
Fita cortada / MouseReel™ ^†
	$11.34	$11.34
	$7.87	$78.70
	$6.65	$665.00
	$6.64	$3,320.00
Bobina cheia (pedidos em múltiplos de 800)
	$6.21	$4,968.00

† $7.00 taxa MouseReel™ será adicionada e calculada em seu carrinho de compras. Todos os pedidos MouseReel™ não podem ser cancelados nem devolvidos. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoria de produto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montagem:	SMD/SMT
Caixa / Gabinete:	D2PAK-7
Polaridade do transistor:	N-Channel
Número de canais:	1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte:	1.2 kV
Id - Corrente de drenagem contínua:	30 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência:	110 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte:	- 15 V, + 25 V
Tensão de limite porta e fonte:	4.3 V
Qg - Carga na porta:	56 nC
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Pd - Dissipação de potência:	179 W
Modo de canal:	Enhancement
Qualificação:	AEC-Q101
Nome comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuração:	Single
Tempo de queda:	9 ns
Transcondutância em avanço - Mín:	11 S
Embalagem:	Reel
Embalagem:	Cut Tape
Embalagem:	MouseReel
Tipo de Produto:	SiC MOSFETS
Série:	NVBG080N120SC1
Quantidade do pacote de fábrica:	800
Subcategoria:	Transistors
Tecnologia:	SiC
Tempo de retardo de desligamento típico:	21 ns
Tempo típico de ativação/retardo :	12 ns

Produtos encontrados:

Para mostrar produtos similares, selecione pelo menos uma opção

Selecione pelo menos uma caixa de seleção acima para mostrar produtos similares nesta categoria.

Atributos selecionados: 0

Filtrar documento:

Ficha técnica

NVBG080N120SC1 Ficha técnica

PCN

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs provide superior switching performance and high reliability compared to silicon. These MOSFETs offer low on-resistance that ensures low capacitance and gate charge. The 1200V EliteSiC MOSFETs provide system benefits, including high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs feature blocking voltage, high-speed switching, and low capacitance and operate at -55°C to +175°C temperature range. The 1200V SiC MOSFETs are AEC-Q101 automotive qualified and are RoHS compliant. These MOSFETs are suited for boost inverters, charging stations, DC-DC inverters, DC-DC converters, onboard chargers (OBCs), motor control, industrial power supplies, and server power supplies.

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET

onsemi NVBG080N120SC1 1200V SiC MOSFET provides superior switching performance and higher reliability than Silicon. This MOSFET has a low ON resistance and compact chip size, ensuring low capacitance and gate charge. onsemi NVBG080N120SC1 MOSFET features high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced electromagnetic interference (EMI), and reduced system size. Typical applications include automotive onboard chargers and automotive DC/DC converters for EV/HEV.