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STGWT28IH125DF

Name: STMicroelectronics STGWT28IH125DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT28IH125DF
Price: 1.6 USD
Availability: OutOfStock

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Nº da Mouser:

511-STGWT28IH125DF

Nº do fabricante:

STGWT28IH125DF

Fabricante.:

STMicroelectronics

Descrição:

IGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

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Ficha técnica:

STGWT28IH125DF Ficha técnica (PDF)

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	$1.60	$960.00
	$1.55	$4,185.00

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Atributo de produto	Valor do atributo	Selecionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoria de produto:	IGBTs
RoHS:
Tecnologia:	Si
Caixa / Gabinete:	TO-3P-3
Estilo de montagem:	Through Hole
Configuração:	Single
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor:	1.25 kV
Tensão de saturação do coletor - emissor:	2.65 V
Tensão do emissor do gate máxima:	- 20 V, 20 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC:	60 A
Pd - Dissipação de potência:	375 W
Temperatura operacional mínima:	- 55 C
Temperatura operacional máxima:	+ 175 C
Série:	STGWT28IH125DF
Embalagem:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Ic máx. de corrente do coletor contínuo:	30 A
Corrente de dispersão do gate - emissor:	250 nA
Tipo de Produto:	IGBT Transistors
Quantidade do pacote de fábrica:	300
Subcategoria:	IGBTs
Peso unitário:	7 g

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Ficha técnica

STGWT28IH125DF Ficha técnica (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWT28IH125DF Trench Gate Field-Stop IGBT

STMicroelectronics STGWT28IH125DF Trench Gate Field-Stop IGBTs feature an advanced proprietary trench gate field-stop structure. Performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. STMicroelectronics STGWT28IH125DF IGBTs maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.