SiC641CD-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIC641CD-T1-GE3
SiC641CD-T1-GE3

Fabricante.:

Descrição:
Especializado em gestão de energia - PMIC 55A DrMOS 5V PWM PowerPAK (MLP31-55)

Ficha técnica:
Modelo ECAD:
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Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Vishay
Categoria de produto: Especializado em gestão de energia - PMIC
RoHS:  
REACH - SVHC:
SIC
General Purpose
SMD/SMT
MLP55-31
16 V
2.5 V
- 40 C
+ 125 C
55 A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Aplicação: Computers
Marca: Vishay Semiconductors
Kit de desenvolvimento: SiC641DB
Intervalo de voltagem de entrada: 2.5 V to 16 V
Corrente de Alimentação Operativa: 120 uA
Tensão de alimentação operacional: 5 V
Produto: Power Management Specialized - PMICs
Tipo de Produto: Power Management Specialized - PMIC
Quantidade do pacote de fábrica: 3000
Subcategoria: PMIC - Power Management ICs
Nome comercial: DrMOS
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Atributos selecionados: 0

Ficha técnica

PCN

USHTS:
8542390090
TARIC:
8542399000
ECCN:
EAR99

SiC641 55A VRPower® Integrated Power Stage

Vishay Semiconductors SiC641 55A VRPower® Integrated Power Stage is designed for synchronous buck applications, delivering high current, efficiency, and power density with minimal shutdown current. The Vishay Semiconductors SiC641 is housed in a proprietary 5mm x 5mm MLP package. The SiC641 supports voltage regulators with up to 55A continuous current per phase. Featuring Vishay’s advanced TrenchFET® technology, these devices minimize switching and conduction losses for industry-leading performance.

Estágio de potência integrado DrMOS série SiC6xx

Vishay Semiconductors DrMOS SiC6xx Integrated Power Stage are optimized for synchronous buck applications to offer high current, high efficiency, and high power density performance. Packaged in Vishay's proprietary 5mm x 5mm MLP package, SiC6xx enables the voltage regulator designs to deliver up to 60A continuous current per phase. The internal power MOSFETs utilizes Vishay's state-of-the-art Gen IV TrenchFET technology that delivers industry benchmark performance to significantly reduce switching and conduction losses. 

The SiC6xx incorporates an advanced MOSFET gate driver IC that features high current driving capability, adaptive dead-time control, an integrated bootstrap Schottky diode, a thermal warning (THWn) that alerts the system of excessive junction temperature, and zero current detect to improve light load efficiency. The drivers are also compatible with a wide range of PWM controllers and supports tri-state PWM, 3.3V (SiC620A) / 5V (SiC620) PWM logic.
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