MRF300 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF300 RF Power LDMOS Transistors feature unmatched input and output, allowing wide frequency range operation from 1.8MHz to 250MHz. NXP MRF300 LDMOS transistors offer two opposite pin-connection versions (A and B) to be used in a push-pull and two-up configuration for wideband performance. These transistors are housed in an industry-standard TO-247 package, offering flexibility and ease of mounting. The rugged transistors are suitable for high VSWR industrial, scientific, and medical (ISM) applications and broadcast, mobile radio, HF/VHF communications, and switch-mode power supplies.

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 Fabricante
Descrição Ficha técnica Disponibilidade Preços (USD) Filtrar os resultados na tabela por preço unitário baseado na sua quantidade.
Qtde RoHS Modelo ECAD Polaridade do transistor
Tecnologia
Id - Corrente de drenagem contínua
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte
Frequência operacional
Ganho
Potência de saída
Temperatura operacional mínima
Temperatura operacional máxima
Estilo de montagem
Caixa / Gabinete
Embalagem
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Ficha técnica
370Em estoque
Mín.: 1
Mult.: 1

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube
NXP Semiconductors Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
Ficha técnica
Tempo de conclusão sem o estoque 10 semanas
Mín.: 240
Mult.: 240

N-Channel Si 30 A 133 V 1.8 MHz to 250 MHz 20.4 dB 330 W - 40 C + 150 C Through Hole TO-247-3 Tube